تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

APTM120H140FT1G

سازندگان:	Microsemi Corporation
دسته بندی محصولات:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
برگه داده ها:	APTM120H140FT1G
توضیحات:	MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1
وضعیت RoHS:	سازگار با RoHS

ویژگی	مقدار مشخصه
تولید کننده	Microsemi Corporation
دسته بندی محصولات	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
سری	-
نوع FET	4 N-Channel (H-Bridge)
بسته بندی	Bulk
ویژگی های FET	Standard
قسمت وضعیت	Active
قدرت حداکثر	208W
نوع نصب	Chassis Mount
بسته بندی/مورد	SP1
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه	5V @ 1mA
دمای عملیاتی	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs	1.68Ohm @ 7A, 10V
بسته بندی دستگاه تامین کننده	SP1
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	145nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	1200V (1.2kV)
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	3812pF @ 25V
جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c	8A