تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید
STW65N65DM2AG
| سازندگان: | STMicroelectronics |
|---|---|
| دسته بندی محصولات: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| برگه داده ها: | STW65N65DM2AG |
| توضیحات: | MOSFET N-CH 650V 60A |
| وضعیت RoHS: | سازگار با RoHS |
| ویژگی | مقدار مشخصه |
|---|---|
| تولید کننده | STMicroelectronics |
| دسته بندی محصولات | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| سری | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 |
| نوع FET | N-Channel |
| بسته بندی | Tube |
| Vgs (حداکثر) | ±25V |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) |
| ویژگی های FET | - |
| قسمت وضعیت | Active |
| نوع نصب | Through Hole |
| بسته بندی/مورد | TO-247-3 |
| شماره قسمت پایه | STW65N |
| Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه | 5V @ 250µA |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds در (حداکثر) @ Id ، Vgs | 50mOhm @ 30A, 10V |
| استهلاک قدرت (حداکثر) | 446W (Tc) |
| بسته بندی دستگاه تامین کننده | TO-247 |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 650V |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 5500pF @ 100V |
| جریان-تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 ° c | 60A (Tc) |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds در ، حداقل Rds در تاریخ) | 10V |
در انبار 470 pcs
| قیمت مرجع ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $8.75 | $8.58 | $8.40 |
درخواست نقل قول
فرم زیر را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت
معامله پیدا می کند
