تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید

BQ4011LYMA-70N

سازندگان: Texas Instruments
دسته بندی محصولات: Memory
برگه داده ها: BQ4011LYMA-70N
توضیحات: IC NVSRAM 256K PARALLEL 28DIP
وضعیت RoHS: سازگار با RoHS
ویژگی مقدار مشخصه
تولید کننده Texas Instruments
دسته بندی محصولات Memory
سری -
بسته بندی Tray
فن آوری NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
زمان دسترسی 70ns
اندازه حافظه 256Kb (32K x 8)
نوع حافظه Non-Volatile
قسمت وضعیت Obsolete
فرمت حافظه NVSRAM
نوع نصب Through Hole
بسته بندی/مورد 28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
شماره قسمت پایه BQ4011
رابط حافظه Parallel
ولتاژ-تامین 3V ~ 3.6V
دمای عملیاتی -40°C ~ 85°C (TA)
بسته بندی دستگاه تامین کننده 28-DIP Module (18.42x37.72)
نوشتن چرخه زمان--ورد ، صفحه 70ns

در انبار 0 pcs

قیمت مرجع ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00

درخواست نقل قول

فرم زیر را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت

معامله پیدا می کند

NAND512W3A2BN6F
STMicroelectronics
$0
NAND512W3A0AN6
STMicroelectronics
$0
NAND512R3A2BZA6E
STMicroelectronics
$0
NAND256W3A0AN6F
STMicroelectronics
$0
NAND256W3A0AN6
STMicroelectronics
$0
NAND256R3A2BZA6E
Micron Technology Inc.
$0