تصویر فقط برای مرجع است ، مشخصات محصول را ببینید
TC58BYG2S0HBAI6
| سازندگان: | Toshiba Memory America, Inc. |
|---|---|
| دسته بندی محصولات: | Memory |
| برگه داده ها: | TC58BYG2S0HBAI6 |
| توضیحات: | IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA |
| وضعیت RoHS: | سازگار با RoHS |
| ویژگی | مقدار مشخصه |
|---|---|
| تولید کننده | Toshiba Memory America, Inc. |
| دسته بندی محصولات | Memory |
| سری | Benand™ |
| بسته بندی | Tray |
| فن آوری | FLASH - NAND (SLC) |
| زمان دسترسی | 25ns |
| اندازه حافظه | 4Gb (512M x 8) |
| نوع حافظه | Non-Volatile |
| قسمت وضعیت | Active |
| فرمت حافظه | FLASH |
| نوع نصب | Surface Mount |
| بسته بندی/مورد | 67-VFBGA |
| رابط حافظه | Parallel |
| ولتاژ-تامین | 1.7V ~ 1.95V |
| دمای عملیاتی | -40°C ~ 85°C (TA) |
| بسته بندی دستگاه تامین کننده | 67-VFBGA (6.5x8) |
| نوشتن چرخه زمان--ورد ، صفحه | 25ns |
در انبار 2 pcs
| قیمت مرجع ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $4.58 | $4.49 | $4.40 |
درخواست نقل قول
فرم زیر را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت
معامله پیدا می کند
